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IRFZ44ES/L
2500
2000
V GS = 0V,    f = 1MHz
C iss = C gs + C gd , C ds SHORTED
C rss = C gd
C oss = C ds + C gd
20
16
I D = 29
V DS = 48V
V DS = 30V
Ciss
1500
1000
Coss
12
8
500
Crss
4
FOR TEST CIRCUIT
0
1
10
100
0
0
10
20
30
SEE FIGURE 13
40     50
60
1000
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
1000
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R DS(on)
100 T = 175 ° C
J
100
10us
100us
10
T J = 25 ° C
10
1ms
1
0.5
1.0
1.5
V GS = 0 V
2.0         2.5
1
1
T C = 25 ° C
T J = 175 ° C
Single Pulse
10
10ms
100
1000
4
V SD ,Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
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